SRM2134硅深度剖面标准中砷植入标准品NIST

SRM2134硅深度剖面标准中砷植入标准品NIST 旨在用于通过二次离子质谱 (SIMS) 分析技术校准对硅基质中微量和痕量砷的二次离子响应。 SRM 2134 用于校准 SIMS 仪器在特定仪器条件下对硅基质中砷的响应。它也可以被实验室用作校准硅中砷工作标准的转移标准。 SRM 2134 的一个单元由一个 1 cm × 1 cm 的单晶硅衬底组成，该衬底已以 100 keV 的标称能量离子注入同位素 75As。 SRM 2134 经认证可用于 75As 原子的保留剂量。剂量以每单位面积的砷质量单位表示。额外的SIMS 提供了有关砷原子浓度随地表以下深度变化的未经认证的信息。

认证浓度值： 

75As 原子的总保留剂量通过仪器中子活化分析确定。将两种独立制备的砷参考溶液（其中一种是 NIST SRM 3103a 砷标准溶液，经砷浓度认证）等分试样沉积在滤纸上，作为分析中的标准。得到的认证值和扩展的不确定性为 75As 的认证保留剂量：

0.09120 ± g/cm2 ± 0.00035 ± g/cm2

对于 75As 的同位素质量使用 74.9216 g/mol 的值，保留剂量相当于

7.330 × 1014 个原子/cm2 ± 0.028 × 1014 个原子/cm2

认证值的不确定度表示为扩展不确定度 U = kuc，其中 k 是 2.04 的覆盖因子，置信水平约为 95%，uc 是根据 ISO 指南 [1] 计算的组合标准不确定度.组合标准不确定度是从测量过程中导出或估计的单个标准不确定度平方和的平方根。 A 类和 B 类标准不确定度分量来自以下主要来源的测量不确定度：(1) 比较标准的浓度，(2) 样品和标准之间的中子注量暴露差异，(3) 测量复制，(4) 标准的计数统计，(5) 脉冲堆积，以及 (6) 衰减时间效应。已考虑所有已知的潜在不确定性来源

生产和物理描述： 

起始材料由一侧抛光的商用 200 mm p 型硅 (100) 单晶晶片组成。硅晶片的抛光面在离子注入机中以 100 keV 的标称能量注入 75As 离子。在此期间，晶片名义上处于室温植入。用晶圆锯将晶圆切割成 1 cm x 1 cm 的正方形。所有方格都位于距晶片边缘至少 1 厘米处。

处理、储存和使用说明

处理： SRM2134硅深度剖面标准中砷植入标准品NIST  的植入面是抛光的反射面。该表面在包装前已清洁。使用前，应立即使用加压空气除尘器从表面清除灰尘颗粒。不建议在氢氟酸中蚀刻此 SRM，因为表面氧化物可能会去除一些砷。

储存：不使用时，SRM 应存放在其原始托盘中，并盖紧盖子。

用途：随着连续层被离子轰击去除，通过 SIMS 监测一种或多种溅射离子种类，可以获得作为深度函数的材料成分信息。当使用这种技术时，一个物种的浓度值通常使用与未知物相同的基质中相同物种的参考样品进行校准 [5,6]。